掩膜版是什么？

业内又称光掩模版、光罩板，英文称号MASK或PHOTOMASK），材质：石英玻璃、金属铬和感光胶，该产品是由石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光资料，把已设计好的电路图形经过电子激光设备曝光在感光胶上,被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上构成电路图形，成为相似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路停止投影定位，经过集成电路光刻机对所投影的电路停止光蚀刻，其消费加工工序为：曝光，显影，去感光胶，而后应用于光蚀刻。

    构造实体构造：布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片上的图像。倍缩光掩模（Reticle）：当铬膜玻璃仅能部分掩盖晶圆称为倍缩光掩模，通常图型要放大4倍、5倍或10倍。光掩模（Mask）：当铬膜玻璃上的图像能掩盖整个晶圆时称之为光罩。

    光刻（英语：photolithography）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤应用曝光和显影在光刻胶层上描写几何图形构造，然后经过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不只包含硅晶圆，还能够是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。首先，经过金属化过程，在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光刻胶。这层光阻剂在曝光（普通是紫外线）后能够被特定溶液（显影液）溶解。使特定的光波穿过光掩膜映照在光刻胶上，能够对光刻胶停止选择性映照（曝光）。然后运用前面提到的显影液，溶解掉被映照的区域，这样，光掩模上的图形就呈如今光刻胶上。通常还将经过烘干措施，改善剩余局部光刻胶的一些性质。

    上述步骤完成后，就能够对衬底停止选择性的刻蚀或离子注入过程，未被溶解的光刻胶将维护衬底在这些过程中不被改动。刻蚀或离子注入完成后，将停止光刻结尾的一步，行将光刻胶去除，以便当停止半导体器件制造的其他步骤。通常，半导体器件制造整个过程中，会停止很屡次光刻流程。消费复杂集成电路的工艺过程中可能需求停止多达50步光刻，而消费薄膜所需的光刻次数会少一些。