掩模的原理是什么

光刻技术的基本思想是硅片表面du上象光强度由掩模上各zhi个透光孔衍射的波dao的组合确定。图形特征尺寸、离焦量对象衬比、光强度、分辨率和象质有重要的影响。图形刻划的主要判据是图形的衬比。 Levenson等人，提出的PSM方法可使衬比改善，分辨率比传统方法改善40%一10 0%。其原理是使透过掩模图形上相邻透光孔的光束之间产生180度相位差，因而使特征图形周期小时，硅片表面上相邻图形象之间因相消干涉使暗区光强减弱，由能量守恒定律知，势必使图形亮区象增强；而且相邻透光区之间的相位相反，改变了掩模图形的空间频谱分布，消去了直流分量，压窄了频带，换句话说，使用相同的光刻系统，PSM(Levenson型)可使掩模图形的空间频率增加一倍时光刻系统仍能分辨，即分辨率提高一倍。由于反相，产生振幅通过零点，使象强度分布衬比(度)提高，改善了分辨率、边缘陡度和曝光量宽容度。 光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性、掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和i线光刻机在zui佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形，而且具有更大的焦深和曝光量范围。例如使用PSM，在NA=0.5，λ=248nm，分辨率可达0.15um；NA=0.6，λ=365nm，实际分辨率可达0.2um。相移掩模方法有可能克服线/间隔图形传统光刻方法的局限性。 相移掩模类型多，分类方法也不同，但基本原理都是相邻透光图形透过的光振幅相位相反产生相消干涉、振幅零点和(或)频谱分布压窄，从而改善衬比、分辨率和象质。